买卖IC网 >> 产品目录 >> SIHG30N60E-GE3 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIHG30N60E-GE3

库存数量：1446
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 600 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 29 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 125 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247AC-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 SIHG30N60E-GE3
SIHG32N50D-E3
SIHG32N50D-GE3
SIHG33N60EF-GE3
SIHG33N60E-GE3
SiHG460B-GE3
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深圳市禧创科技有限公司 13509620153 罗双
  • SIHG30N60E-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 9.84 9.84
    10 7.936 79.36
    100 7.176 717.6
    250 6.39 1597.5